3月30日下午，马来西亚理科大学Quah Hock Jin教授应邀在best365唯一官方网站电信楼3312报告厅作题为《High-k Dielectric Materials for Passivation in 4H-Silicon Carbide Based MOS Devices: An Overview》的学术报告。本次讲座由电气与信息工程学院承办，吸引了相关专业师生参加。
Quah Hock Jin指出，4H-碳化硅（4H-SiC）作为宽禁带半导体，具有高击穿电场、优良热导率等特性，在高功率MOS器件中展现出巨大潜力。然而，传统二氧化硅（SiO₂）钝化层因介电常数较低，导致电场分布不均，制约了器件性能的进一步提升。为突破此瓶颈，他重点介绍了高k介电材料——特别是氧化铥（Tm₂O₃）在平衡界面电场、提升器件耐压能力方面的应用前景。
Quah博士长期致力于宽禁带半导体器件与薄膜技术研究，在GaN、SiC等材料钝化层开发方面成果丰硕，已发表多篇高水平论文并拥有相关专利。此次讲座为师生提供了深入了解国际前沿技术的机会，也推动了best365官网在电力电子材料方向的学术交流与科研合作。（图/文：徐思雨 审稿人/一审：张松华 二审：曹帅 三审：洪俊）
